UltraRAM, la memoria universal que podría acabar con la RAM y los discos duros

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Científicos de la Universidad de Lancaster en Reino Unido han realizado un informe en el que explican el funcionamiento de una prometedora tecnología de memoria denominada UltraRAM que augura una revolución en este ámbito.

Características de UltraRAM

Puede definirse como "una memoria no volátil con el potencial de lograr un almacenamiento de electrones rápido y de energía ultrabaja". Es capaz de combinar la no volatilidad de la memoria de almacenamiento de datos tradicional a la par que mantiene la velocidad y resistencia de la RAM, lo que quiere decir que podría implementarse como una memoria universal en un futuro.

A lo largo de los años ha quedado latente la necesidad de desarrollar una tecnología de memoria capaz de eliminar la necesidad de RAM y almacenamiento por separado.

Tras varias investigaciones, ni la RAM resistiva, ni la RAM magnetorresistiva ni la memoria de cambio de fase han sido capaces de cumplir con las expectativas. Además, la memoria Optane de Intel, una alternativa que puede compararse, se retiró de los PC de consumo el año pasado.

En términos de rendimiento, los primeros signos son bastante prometedores en el caso de la UltraRAM. El informe afirma que esta tecnología de memoria es capaz de ofrecer tiempos de almacenamiento de datos de, por lo menos, 1.000 años y una de energía de conmutación inferior que DRAM y flash.

"Una memoria que es rápida y no volátil, con alta resistencia y conmutación de estado lógico de baja energía, es decir, la llamada memoria universal, se ha descartado durante mucho tiempo como inalcanzable debido a las propiedades físicas aparentemente contradictorias que requeriría un dispositivo de este tipo", afirma el informe.

"Se ha logrado un progreso significativo, con productos de memoria emergentes en producción comercial a pequeña o gran escala, pero, al igual que con las memorias convencionales, permanece la compensación entre la estabilidad del estado lógico y la energía de conmutación.

UltraRAM rompe este paradigma a través de la explotación de pozos cuánticos InAs (QW) y barreras AlSb para crear una estructura de túnel resonante de triple barrera (TBRT)"



Su uso podría suponer una revolución

Lo más relevante en esta tecnología es la capacidad que tiene de combinar los atributos de RAM y la memoria de almacenamiento con el fin de obtener beneficios de rendimiento en usos desde servidores de ordenador hasta consolas de videojuegos y mucho más. Los investigadores trabajan actualmente en refinar aún más si cabe el proceso de fabricación y realizar las mejoras necesarias. Estos aspectos aumentan la probabilidad de que UltraRAM pueda llegar al mercado a un precio competitivo incentivando su uso rápido y generalizado por parte de los usuarios de todo el mundo.

Fuente:
ADSLZone
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