Se desarrolla la memoria Flash más rápida del mundo

AXCESS · Abril 18, 2025, 07:07:09 PM

No tienes permitido ver enlaces. Registrate o Entra a tu cuenta

Estableciendo un nuevo referente en el rendimiento de la memoria Flash, un equipo de investigadores de la Universidad de Fudan en Shanghái ha desarrollado un dispositivo de memoria no volátil ultrarrápido de picosegundos. Pero ¿qué es exactamente la memoria de picosegundos? Se refiere a la memoria que puede leer y escribir datos en una milésima de nanosegundo o una billonésima de segundo.

El chip recién desarrollado, denominado "PoX" (Phase-change Oxide: Óxido de cambio de fase), es capaz de conmutar a 400 picosegundos, superando con creces el récord mundial anterior de 2 millones de operaciones por segundo.

La SRAM (Memoria de Acceso Aleatorio Estática) y la DRAM (Memoria de Acceso Aleatorio Dinámica) tradicionales pueden escribir datos en tiempos que oscilan entre 1 y 10 nanosegundos. Sin embargo, son volátiles, lo que significa que todos los datos almacenados se pierden en cuanto se apaga la alimentación.

Por otro lado, la memoria flash, como la que se utiliza en SSD y unidades USB, no es volátil, por lo que retiene datos incluso sin alimentación. La desventaja es que es mucho más lenta, ya que suele tardar entre microsegundos y milisegundos. Esta limitación de velocidad la hace inadecuada para los sistemas modernos de IA (Inteligencia Artificial), que a menudo necesitan mover y actualizar grandes cantidades de datos casi instantáneamente durante el procesamiento en tiempo real.

Dado que PoX es un tipo de memoria no volátil, puede retener datos sin necesidad de alimentación cuando está inactiva. Su combinación de consumo de energía extremadamente bajo y velocidades de escritura ultrarrápidas de picosegundos podría ayudar a eliminar el cuello de botella de memoria que se ha mantenido durante mucho tiempo en el hardware de IA, donde la mayor parte del consumo energético se destina ahora a mover datos en lugar de a procesarlos.

El profesor Zhou Peng y su equipo de la Universidad de Fudan reconfiguraron por completo la estructura de la memoria flash. En lugar del silicio tradicional, utilizaron grafeno Dirac bidimensional, conocido por su capacidad para permitir que las cargas se muevan rápida y libremente.

Refinaron aún más el diseño ajustando la longitud gaussiana del canal de memoria, lo que les permitió crear un fenómeno conocido como superinyección 2D. Esto produce un flujo de carga excepcionalmente rápido y casi ilimitado hacia la capa de almacenamiento de la memoria, superando eficazmente las limitaciones de velocidad de la memoria convencional.

"Mediante el uso de algoritmos de IA para optimizar las condiciones de prueba del proceso, hemos avanzado significativamente en esta innovación y allanado el camino para sus futuras aplicaciones", declaró Zhou en una entrevista con Xinhua.

Para acelerar la implementación práctica de esta tecnología, el equipo de investigación colabora estrechamente con socios fabricantes durante todo el proceso de I+D. Ya se ha completado una verificación de cinta, con resultados preliminares prometedores.

Liu Chunsen, investigador del Laboratorio Estatal Clave de Chips y Sistemas Integrados de la Universidad de Fudan, declaró:

"Hemos logrado crear un chip a pequeña escala y totalmente funcional. El siguiente paso consiste en integrarlo en los teléfonos inteligentes y ordenadores existentes. De esta manera, al implementar modelos locales en nuestros teléfonos y ordenadores, ya no nos encontraremos con los problemas de cuello de botella, como el retraso y el calentamiento, que causa la tecnología de almacenamiento existente".

Fuente:
Tom´s Hardware
No tienes permitido ver enlaces. Registrate o Entra a tu cuenta

Se desarrolla la memoria Flash más rápida del mundo

AXCESS

Abril 18, 2025, 07:07:09 PM